1, 什么叫晶片电阻？
厚膜片式固定电阻器，也称为：贴片电阻、晶片电阻、片状电阻，简称：片阻片阻的主要规格尺寸，按公制标准，对应有：1005、1608、2012、3216等；按英制标准可分为：0201、0402、0603、0805、1206、1210、2010、2512。片阻的阻值范围在：0R~200MR之间。其中，一般认为10MR以上为超高阻，0R~1R之间为超低阻。片阻的阻值精度主要分为：高精度系列的有±0.5%、±0.25%、±0.1%、±0.05%、±0.01%等，常规精度级别的有J级（±5%）和F级（±1%）。片式电阻的额定功率大小主要与规格尺寸相关，从0201型的1/20W至2512型的1W，逐步递增；片式电阻的温度系数与规格尺寸和阻值大小均有关联，常规产品以K档（±100ppm/℃）为主，对于部份规格（如0402及以下）和部份阻值（如≤10R或≥1MR），其温度系数主要有：W档 （±200ppm/℃）、L档（±250ppm/℃）、U档（±400ppm/℃）等。随着科技的发展，片式电阻器必将可以提供更小尺寸、更高阻值、更低温漂、更高精度以及更大功率的产品，以满足电子科技的发展需求。目前，常见的有以下系列片式电阻产品：常规系列、超低阻系列、超高阻系列、高精度系列、功率型系列以及厚膜片式网络电阻器系列（片式排阻）等。
2, 晶片电阻与贴片电阻是一样的吗？
目前的晶片电阻已发展至最小尺寸可达1.0 x 0.5mm，且可以制成2~8颗电阻并排成一颗之排阻（resistor array），不但使电路板面积大幅缩小，且降低了好几倍元件置放时间。电阻的制作方法可分为厚膜制程及薄膜制程，厚膜制程之流程如下图1所示：在整个厚膜电阻的制程中，厚膜胶（包括电阻胶及导电胶） 材料为关键技术，因为其特性即决定了电阻的特性。电阻胶的组成是选用低温度系数RuO2为主成份再混合玻璃及高份子载体（vehicle）而组成，而导电胶的成份亦类似，只是RuO2改用电阻率极低的Ag为主。厚膜胶的制程如图2所示：电阻在使用时，由於会消耗功率而产生热，伴随著电阻体本身含有温度上升的现象。因此，电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance,TCR）便成为电阻稳定性最重要的指标之一，电阻温度系数的计算方式如下：TCR愈低，表示电阻随温度变化愈小，阻值愈稳定，厚膜材料的TCR约为200~300 ppm/k之间（铜约为4000 ppm/k）。由於厚膜胶必须含有一定成份的玻璃，因此TCR的控制相当不容易，目前的厚膜电阻的特性己相当固定，不易有明显的改进空间。相对地，薄膜电阻是利用半导体的原理，以物理的气相沈积技术（Physical Vapour Deposition,PVD），包括溅镀（sputtering deposition）、蒸镀（evaporation deposition）等方式，将电阻材料被覆於氧化铝基板上，因此材料所选择变得很有弹性，目前常用的NiCr,NiCu,TaN…等材料。由於薄膜制程可获得之材料没有混杂其他如玻璃等杂质，因此TCR可控制在50 ppm/k以下，甚至趋近0 ppm/k。除此之外，由於电阻体可利用黄光微影（lithography）的方式制作不同的线路图案（pattern），且线径的控制非常精确，因此，阻值范围可以做的很广，且在某些阻值范围甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步骤。薄膜电阻制程之流程图，如图3所示：利用半导体类似等级的设备来生产薄膜电阻，在成品特性拥有许多厚膜可不及的优点，但因为成本仍高，因此未能广泛应用。目前晶片电阻市埸仍由厚膜电阻占绝大部份。最近由於in-line全自动溅镀设备成本大幅降低，加上微影制程改良，薄膜电阻成本在1~2年内将降低至接近厚膜电阻的水准。
名词解释
电阻
电阻（Resistance，通常用“R”表示），是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。而超导体则没有电阻。
制程
制程 专指：事物运作程序的处理过程。常指计算机芯片框架的运算速度量。
厚膜
厚膜是指在基片上用印刷烧结技术所形成的厚度为几微米到数十微米的膜层。制造这种膜层的材料，称为厚膜材料。
