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优价场效应IRF540 IRF520 IRF530
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发布时间  2021-05-11 08:28:53
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品牌/型号ADV美国先进半导体/IRF530---------IRF840
极间电容50(pF)
低频跨导2(μS)
最大漏极电流500(mA)
低频噪声系数5(dB)
最大耗散功率250(mW)
型号IRF530---------IRF840
品牌ADV美国先进半导体
沟道类型N沟道
种类绝缘栅MOSFET
用途SW-REG/开关电源
导电方式增强型
材料N-FET硅N沟道
封装外形CER-DIP/陶瓷直插
夹断电压5(V)
开启电压5(V)

工商信息

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