1, 请教场效应管的简单接法
举例说明，自己画了一个通俗、简单的场效应管驱动LED的电路图，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。下面简要说明。栅极/基极（G）接控制信号，源极（S）接负载电源负极（模拟地），漏极（D）接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。当栅极/基极（G）电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极（S）到漏极（D）导通，导通电流很小，可以认为源极（S）和漏极（D）直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。当栅极/基极（G）电压小于MOSFET管开启电压时，源极（S）到漏极（D）电阻极大，可以认为源极（S）到漏极（D）断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。（这里只用最易理解的语言说说用法，事实上MOSFET的开启和关闭取决于栅极/基极（G）和源极（S）之间的正压差）这样，我们只要控制MOSFET的栅极/基极（G）电压有无，即可控制负载的工作与不工作，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极，你就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的。由于MOSFET管的快速开关特性，使用高频PWM方波信号对其栅极/基极（G）进行控制，可以在输出端获得超高速切换的平均电压，这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失，效率一般在95%以上。 【P沟道MOSFET管用法】：】：（栅极G高电平D与S 间截止，栅极G低电平D与S间 导通）栅极/基极（G）接控制信号，源极（S）接负载电源正极，漏极（D）接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。当栅极/基极（G）电压小于源极（S）电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极（S）到漏极（D）导通，导通电流很小，可以认为源极（S）和漏极（D）直接短接。这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作。当栅极/基极（G）电压小于源极（S）电压（负载电源电压）不足1.2V，或栅极/基极（G）电压大于等于源极（S）电压时，源极（S）到漏极（D）电阻极大，可以认为源极（S）到漏极（D）断路，则负载不工作。MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里，复杂理论咱不说它，知道怎么用就行了。如果仅仅是做为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管，只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。明白了？
3, 场效应管管脚问题
1、结型场效应管的管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R*1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。2、 判定栅极（红表笔接表内电池的负极，黑表笔接表内电池的正极）用万用表黑表笔碰触管子的栅极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。若要区分，则可根据在源—漏之间有一个PN结，通过测量PN结正、反向电阻存在差异，识别S极与D极。将万用表拨到R*100档，用交换表笔法测两次电阻，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻。此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。3、 估测场效应管的放大能力将万用表拨到R*100档，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
相关概念
场效应管
场效应晶体管（Field EffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 -氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
栅极
由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，插在电子管另外两个电极之间，起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。
