1, ir2110 ir2110s 有什么分别
自举电容的设计IGBT和PM(POWER MOSFET)具有相似的门极特性，它们在开通时都需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端的电压比器件充分导通所需要的电压（10 V，高压侧锁定电压为8.7/8.3 V）要高，而且在自举电容充电路径上有1.5 V的压降（包括VD1的正向压降），同时假定有1/2的栅电压（栅极门槛电压VTH通常3~5 V）因泄漏电流引起电压降。那么，此时对应的自举电容可用下式表示：例如IRF2807充分导通时所需要的栅电荷Qg为160 nC（可由IRF2807电特性表查得），Vcc为15V，那么有：这样C1约为0.1 μF，设计中即可选取C1为0.22μF或更大，且耐压大于35 V的独石电容。
2, 求教电路高手~~IR2110S的作用以及几个电阻电容的作用
类别：电源电路驱动芯片类型：高/低边封装类型：SOIC针脚数：14工作温度范围：-40°C ~ +125°C偏移电压：500V功耗：1.25W器件标号：2110封装类型：剥式电源电压：10V~20V表面安装器件：表面安装输出数：2输出电流：2.5AIR2110 和 International Rectifier 信息 Manufactured by International Rectifier, IR2110 is a MOSFET和功率驱动器.封装与内部结构：
名词解释
封装
封装，Package，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把铸造厂生产出来的集成电路裸片（Die）放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。 作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别，基底和外壳、引线的材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。
