1, 大电流MOS管推荐
场效应管 MOSFET N SUPER 220 40V 206A晶体管极性：N沟道电流， Id 连续：206A电压， Vds 最大：40V在电阻RDS（上）：3.7mohm阈值电压， Vgs th 典型值：4V功耗， Pd:300W封装类型：TO-273AASVHC（高度关注物质）：No SVHC (18-Jun-2012)功率， Pd:300W功耗：300W封装类型：Super-220热阻， 结至外壳 A:0.5°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量：10V电压， Vds 典型值：40V电流， Idm 脉冲：650A通态电阻， Rds on @ Vgs = 10V:3.7ohm阈值电压， Vgs th 最高：4V
2, 大电流场效应MOS管
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。 脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。 MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS(ON)决定，并随温度而显着变化。 器件的功耗可通过Iload2*RDS(ON)计算得出。 由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。 施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS(ON)越小； 否则RDS(ON)越高。 请注意，RDS(ON)电阻会随着电流而略有上升。参考资料来源：百度百科-mos管
名词解释
MOS
MOS是Certiport这个国际著名的从事计算机应用能力认证的专业机构与Microsoft总部共同推出的微软办公软件的实际运用能力的考核。
电流
科学上把单位时间里通过导体任一横截面的电量叫做电流强度，简称电流。通常用字母 I表示，它的单位是安培（安德烈·玛丽·安培，1775年—1836年，法国物理学家、化学家，在电磁作用方面的研究成就卓著，对数学和物理也有贡献。电流的国际单位安培即以其姓氏命名），简称“安”，符号 “A”，也是指电荷在导体中的定向移动。 导体中的自由电荷在电场力的作用下做有规则的定向运动就形成了 电流。 电源的电动势形成了电压，继而产生了电场力，在电场力的作用下，处于电微安(μA)1A=1 000mA=1 000 000μA，电学上规定：正电荷定向流动的方向为电流方向。金属导体中电流微观表达式I=nesv,n为单位体积内自由电子数，e为电子的电荷量，s为导体横截面积，v为电荷速度。 大自然有很多种承载电荷的载子，例如，导电体内可移动的电子、电解液内的离子、等离子体内的电子和离子、强子内的夸克。这些载子的移动，形成了电流。
RDS
RDS是关系型数据库服务（Relational Database Service）的简称，是一种即开即用、稳定可靠、可弹性伸缩的在线数据库服务。具有多重安全防护措施和完善的性能监控体系，并提供专业的数据库备份、恢复及优化方案，使您能专注于应用开发和业务发展。
