低压大电流mos管 大电流MOS管推荐

1, 大电流MOS管推荐

场效应管 MOSFET N SUPER 220
40V 206A
晶体管极性：N沟道
电流， Id
连续：206A
电压， Vds
最大：40V
在电阻RDS（上）：3.7mohm
阈值电压， Vgs th
典型值：4V
功耗， Pd:300W
封装类型：TO-273AA
SVHC（高度关注物质）：No SVHC
(18-Jun-2012)
功率， Pd:300W
功耗：300W
封装类型：Super-220
热阻， 结至外壳
A:0.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on
测量：10V
电压， Vds
典型值：40V
电流， Idm
脉冲：650A
通态电阻， Rds on @ Vgs =
10V:3.7ohm
阈值电压， Vgs th
最高：4V

2, 大电流场效应MOS管

圆饼状晶闸管
T178F04TMC 300A,400V 41mm
T3709N 7000A,200V,400V,600V 100mm
T2509N 4900A,200V,400V,600V 75mm
T1258N 2500A,200V,400V,600V 57mm
T1078N 2000A,200V,400V,600V 50mm
T828N 1500A,200V,400V,600V 50mm
T568N 900A,200V,400V,600V 41mm
T398N 800A,200V,400V,600V 41mm
T348N 600A,200V,400V,600V 41mm
T210N 330A,200V,600V 57mm

3, 请教大电流MOS驱动

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后，还必须计算传导损耗。 在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS(ON)决定，并随温度而显着变化。 器件的功耗可通过Iload2*RDS(ON)计算得出。
由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。 施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS(ON)越小； 否则RDS(ON)越高。 请注意，RDS(ON)电阻会随着电流而略有上升。
参考资料来源：百度百科-mos管