1, 低电压大电流场效应管
您好，拉电流和灌电流是衡量电路输出驱动能力（注意：拉、灌都是对输出端而言的，所以是驱动能力）的参数，这种说法一般用在数字电路中。由于数字电路的输出只有高、低（0,1）两种电平值，高电平输出时，一般是输出端对负载提供电流，其提供电流的数值叫“拉电流”；低电平输出时，一般是输出端要吸收负载的电流，其吸收电流的数值叫“灌（入）电流”。1、逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。2、逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。3、逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。4、逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。
2, 求找一个低压大电流mos管
圆饼状晶闸管T178F04TMC 300A,400V 41mm T3709N 7000A,200V,400V,600V 100mm T2509N 4900A,200V,400V,600V 75mm T1258N 2500A,200V,400V,600V 57mm T1078N 2000A,200V,400V,600V 50mm T828N 1500A,200V,400V,600V 50mm T568N 900A,200V,400V,600V 41mm T398N 800A,200V,400V,600V 41mm T348N 600A,200V,400V,600V 41mm T210N 330A,200V,600V 57mm
3, 逆变器大电流低电压用什么场效应管
场效应管 MOSFET N SUPER 220 40V 206A晶体管极性：N沟道电流， Id 连续：206A电压， Vds 最大：40V在电阻RDS（上）：3.7mohm阈值电压， Vgs th 典型值：4V功耗， Pd:300W封装类型：TO-273AASVHC（高度关注物质）：No SVHC (18-Jun-2012)功率， Pd:300W功耗：300W封装类型：Super-220热阻， 结至外壳 A:0.5°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量：10V电压， Vds 典型值：40V电流， Idm 脉冲：650A通态电阻， Rds on @ Vgs = 10V:3.7ohm阈值电压， Vgs th 最高：4V
4, 大电流MOS管推荐
这个很简单，只是使用过MOS管的人远不如使用过三极管的人多而已 。MOS管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。一般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管，你可以用一个电压来控制G的电压，MOS管导通电压一般在2-4V，不过要完全控制，这个值要上升到10V左右。给你推荐一种方法。基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器（比较器电源接正12V和地，比如LM358当比较器），比较器的输出经过5.1K电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。参考电压可以来自于采样电阻，也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，这时候G脚基本上都加了12V，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近0V）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。如果你用D/A输出代替控制电压，则可以获得对MOS管的精确控制，我们以前实现过输出范围10-2000mA，步进1mA，输出电流精度正负1mA的水平。
名词解释
电压
电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。 其大小等于单位正电荷因受电场力作用从A点移动到B点所做的功，电压的方向规定为从高电位指向低电位的方向。电压的国际单位制为伏特（V，简称伏），常用的单位还有毫伏（mV）、微伏（μV）、千伏（kV）等。此概念与水位高低所造成的“水压”相似。需要指出的是，“电压”一词一般只用于电路当中，“电势差”和“电位差”则普遍应用于一切电现象当中。
电流
科学上把单位时间里通过导体任一横截面的电量叫做电流强度，简称电流。通常用字母 I表示，它的单位是安培（安德烈·玛丽·安培，1775年—1836年，法国物理学家、化学家，在电磁作用方面的研究成就卓著，对数学和物理也有贡献。电流的国际单位安培即以其姓氏命名），简称“安”，符号 “A”，也是指电荷在导体中的定向移动。 导体中的自由电荷在电场力的作用下做有规则的定向运动就形成了 电流。 电源的电动势形成了电压，继而产生了电场力，在电场力的作用下，处于电微安(μA)1A=1 000mA=1 000 000μA，电学上规定：正电荷定向流动的方向为电流方向。金属导体中电流微观表达式I=nesv,n为单位体积内自由电子数，e为电子的电荷量，s为导体横截面积，v为电荷速度。 大自然有很多种承载电荷的载子，例如，导电体内可移动的电子、电解液内的离子、等离子体内的电子和离子、强子内的夸克。这些载子的移动，形成了电流。
MOS
MOS是Certiport这个国际著名的从事计算机应用能力认证的专业机构与Microsoft总部共同推出的微软办公软件的实际运用能力的考核。
