场效应管三极管和场效应管的区别

1, 三极管和场效应管的区别

1、场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。
2、场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。
3、场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。
4、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流。场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。
5、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。而场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
参考资料：百度百科——三极管百度百科——场效应管

4, 什么是场效应管？

场效应管
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管，特别是在音响领域更是如此，场效应管与晶体管不同，它是一种电压控制器件（晶体管是电流控制器件），其特性更象电子管，它具有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小.
场效应管是一种单极型晶体管，它只有一个P-N结，在零偏压的状态下，它是导通的，如果在其栅极（G）和源极（S）之间加上一个反向偏压（称栅极偏压）在反向电场作用下P-N变厚（称耗尽区）沟道变窄，其漏极电流将变小，（如图C1-b），反向偏压达到一定时，耗尽区将完全沟道"夹断"，此时，场效应管进入截止状态如图C-c，此时的反向偏压我们称之为夹断电压，用Vpo表示，它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps |Vgs|，这里|Vgs|是Vgs的绝对值.
在制造场效应管时，如果在栅极材料加入之前，在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话，则将会大大地减小栅极电流，也大大地增加其输入阻抗，由于这一绝缘层的存在，场效应管可工作在正的偏置状态，我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管，又称MOS场效应管，所以场效应管有两种类型，一种是绝缘栅型场效应管，它可工作在反向偏置，零偏置和正向偏置状态，一种是结型栅型效应管，它只能工作在反向偏置状态.
绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点：当Vgs=0时Id（漏极电流）=0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.
耗尽型场效应管的特点，它可以在正或负的栅源电压（正或负偏压）下工作，而且栅极上基本无栅流（非常高的输入电阻）.
结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管，但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代替

6, 场效应管的常见的场效应管

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片.MOS内部的结构和二极管、三极管差不多，由P-N结构成，P是正的意思（positive）,N是负的意思（negative）.由于正负离子的作用，在MOS内部形成了耗尽层和沟道，耗尽层里的正负离子相互综合，达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然.
MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路，MOS可分为HMOS（高密度MOS）和CMOS（互补MOS），两种合起来又有了CHMOS.
场效应管是一种单极型晶体管，它只有一个P-N结，在零偏压的状态下，它是导通的，如果在其栅极（G）和源极（S）之间加上一个反向偏压（称栅极偏压）在反向电场作用下P-N变厚（称耗尽区）沟道变窄，其漏极电流将变小，（如图C1-b），反向偏压达到一定时，耗尽区将完全沟道"夹断"，
此时的反向偏压我们称之为夹断电压，用Vpo表示，
它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|，这里|Vgs|是Vgs的绝对值.<BR>；在制造场效应管时，如果在栅极材料加入之前，在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话，则将会大大地减小栅极电流，也大大地增加其输入阻抗，由于这一绝缘层的存在，场效应管可工作在正的偏置状态，我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管，又称MOS场效应管，所以场效应管有两种类型，一种是绝缘栅型场效应管，它可工作在反向偏置，零偏置和正向偏置状态，一种是结型栅型效应管，它只能工作在反向偏置状态.<BR>；绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点：当Vgs=0时Id（漏极电流）=0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.<BR>；耗尽型场效应管的特点，它可以在正或负的栅源电压（正或负偏压）下工作，而且栅极上基本无栅流（非常高的输入电阻）.<BR>；结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管，但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代

名词解释

场效应管

场效应管（Field EffectTransistor，缩写FET）是场效应晶体管的简称，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它主要有两种类型：结型场效应管和金属 -氧化物半导体场效应管，具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象等优点。

MOS

MOS是Certiport这个国际著名的从事计算机应用能力认证的专业机构与Microsoft总部共同推出的微软办公软件的实际运用能力的考核。

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