1, JFET和MOSFET结构上的区别是什么
(1)MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。(2)MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。(3)JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。(4)JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。
2, JFET和MOSFET的异同
JFET被用於小信号处理，而MOSFET主要用於线性或开关电源中应用分类上讲JFET分为N沟和P沟，MOSFET则分4种N沟增强型、N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型，从导电类型上MOSFET分垂直通道和横向通道，垂直通道又分VMOSFET、DMOSFET、UMOSFETVMOSFET：（优点）导通阻抗较小，没有JFET效应，且Cgd最小，有最快的开关响应速度。（缺点）V型底部尖端，容易造成高电场的过度聚集而导致击穿，且沟槽蚀刻过程不稳定会造成临界电压不稳。DMOSFET：（优点）制程稳定简单，p-body和源极区可利用相同的窗口扩散来获得，成本小。（缺点）导通阻抗大，有JFET效应。且由于p-n界面转角处电力线集中，易发生雪崩击穿。UMOSFET：（优点）有效缩小了元件宽度，即增加元件密度，提高单位面积的电流，使导通阻抗降低，不会产生JFET效应。（缺点）制程复杂，成本大，正处于研究阶段。
名词解释
MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。 它依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型。
阻抗
阻抗(electrical impedance)是电路中电阻、电感、电容对交流电的阻碍作用的统称。阻抗的单位是欧。阻抗衡量流动于电路的交流电所遇到的阻碍。阻抗将电阻的概念加以延伸至交流电路领域，不仅描述电压与电流的相对振幅，也描述其相对相位。当通过电路的电流是直流电时，电阻与阻抗相等，电阻可以视为相位为零的阻抗。在振动系统中，阻抗也用Z表示，是一个复数，也是一个相量(Phasor)，含有Magnitude和Phase/Polarity。由阻(Resistance)和抗(Reactance)组成。阻(resistance)是对能量的消耗，而抗(reactance)是对能量的保存。在振动系统中，由质量产生的抗，是质量抗(mass resistance)，而由劲度(stiffness)产生的抗，是劲度抗(stiffness resistance)。
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